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声表谐振器
石英晶振
贴片电容
电阻器
三极管
晶振励电平的影响
激励电平的影响 实际上,所有晶体元件的频率都在一定程度上随激励电平变化而变化(微量变化),一般来说,AT切晶体的频率会随激励电平增大而略有升高。过高的激励电平会导致谐振器温度特性的畸变,并激活寄生模。过高的激励使晶体发热和应力过大,从而产生不可逆的频率漂移。 非常低的激励电平(数微瓦或更低)下,晶体元件的谐振电阻可能比在额定激励电平下电阻值高很多,以致使振荡器越振越困难。这种效应经过一段非工作状态的贮存后会加剧,这就是激励电平相关性(DLD)。因此,晶体在电路中实际使用的激励电平不应过大和过小。 下面是IEC推荐的激励功率的常用值。 2mw、1mw、0.1mw(100μw)、0.05mw(50μw)、0.02mw(20μw)、0.01mw(10μw)、0.001 mw(1μw) 优选值 5MHz以下 500μw,以上一般 100μw。
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